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岩本 直也*; Azarov, A.*; 大島 武; Moe, A. M. M.*; Svensson, B. G.*
Journal of Applied Physics, 118(4), p.045705_1 - 045705_8, 2015/07
被引用回数:6 パーセンタイル:26.86(Physics, Applied)Influence of high-temperature annealing on deep-level defects in a high-purity semi-insulating hexagonal (4H) silicon carbide (SiC) substrates was studied. From secondary ion mass spectrometry, it was found that the substrates contained boron (B) with concentration in the mid 10 /cm range while other impurities including nitrogen, aluminum, titanium, vanadium and chromium were below their detection limits. Schottky barrier diodes (SBDs) were fabricated on substrates annealed at 14001700 C. The series resistance of the SBDs decreased with increasing annealing temperature. Admittance spectroscopy results showed the presence of shallow B acceptors and deep-level defects. By 1400 C annealing, the B acceptors were still compensated by deep-level defects. However, the concentration of deep-level defects decreased with increasing annealing temperature above 1400 C. Therefore, the decreases in series resistance due to high temperature annealing can be interpreted in terms of annealing of deep-level defects which act as compensation centers for B acceptors.
半田 宗男; 高橋 一郎; 渡辺 斉
JAERI-M 7924, 24 Pages, 1978/10
高速炉用炭化物系燃料の高温挙動を解析するために大洗研究所燃料研究棟に整備されたプルトニウム燃料の汎用高温実験装置の設計、製作ならびに性能試験について報告する。本装置は、十分に制御されたガス雰囲気中で燃料の高温熱処理(最高温度2400C)を行うことができるほか、ヘリウムガスによる急冷も可能である。さらに燃料の照射を行うに必須のデータである蒸発性不純物ガスの分析ラインも組込まれている。本装置の製作にあたり、新機構のガスラインフィルタなどの新しいプルトニウムの包蔵技術が多数開発された。性能試験はこれらプルトニウムの包蔵技術に関するデータを中心にのべた。